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不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制

论文类型 基础研究 发表日期 2004-12-01
来源 半导体学报
作者 孙涛,陈文桥,梁晋穗,陈兴国,胡晓宁,李言谨
关键词 HgCdTe 光伏探测器 钝化 倒易点阵 暗电流
摘要 在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能.通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流.通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因.

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