不同钝化结构的HgCdTe光伏探测器暗电流机制
论文类型 | 基础研究 | 发表日期 | 2004-12-01 |
来源 | 半导体学报 | ||
作者 | 孙涛,陈文桥,梁晋穗,陈兴国,胡晓宁,李言谨 | ||
关键词 | HgCdTe 光伏探测器 钝化 倒易点阵 暗电流 | ||
摘要 | 在同一HgCdTe晶片上制备了单层ZnS钝化和双层(CdTe+ZnS)钝化的两种光伏探测器,对器件的性能进行了测试,发现双层钝化的器件具有较好的性能.通过理论计算,分析了器件的暗电流机制,发现单层钝化具有较高的表面隧道电流.通过高分辨x射线衍射中的倒易点阵技术研究了单双层钝化对HgCdTe外延层晶格完整性的影响,发现单层ZnS钝化的HgCdTe外延层产生了大量缺陷,而这些缺陷正是单层钝化器件具有较高表面隧道电流的原因. |
论文搜索
月热点论文
论文投稿
很多时候您的文章总是无缘变成铅字。研究做到关键时,试验有了起色时,是不是想和同行探讨一下,工作中有了心得,您是不是很想与人分享,那么不要只是默默工作了,写下来吧!投稿时,请以附件形式发至 paper@h2o-china.com ,请注明论文投稿。一旦采用,我们会为您增加100枚金币。